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Press Release
AWRは、CREE社のGAN HEMT MMICファンダリ向けプロセスデザインキット（PDK）のリリースを発表
EL SEGUNDO, CA -- 10月4日、2010 -- 高周波回路設計におけるイノベータであるAWR Corporationは、本日、CREE社のプロセスデザインキット（以下、PDK）のリリースならびにサポートを直ちに行うことを発表しました。このキットは、高電力ガリウムナイトライド（GaN）高電子移動トランジスタ（HEMT）モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）ファンダリプロセスに対応しています。この新しい、CREE/AWRによるPDKは、弊社のMicrowave Office®ソフトウェア上で、CREE社のGaN HEMT MMICプロセスに対応したモデルを利用しMMIC設計が可能になります。その結果として、従来のGaAs技術と比較し、より高出力、高効率、より小型化したMMICを実現できることになります。
CREE社のGaN HEMT MMICプロセスの特徴は、高電力密度（4-6 watts/mm）、ストットビア、高信頼性（225℃のチャネル動作温度まで）、スケーラブルなトランジスタであることです。更に、CREE/AWRによるPDKは、AWRのインテリジェントネット（iNetTM）技術を利用しています。これは、異なる部品を配線する際に、レイアウト上の線路を構築し、自動的に曲面/フィレットコーナーを生成する機能です。これに伴い、デザインルールチェックに準拠したレイアウト設計を行え、手作業による修正を削減します。また、このPDKでは、EXTRACT技術を利用し、EM解析のための構造抽出を自動的に行え、即座にEM解析を行えます。手作業による、回路図編集の手間を省きます。
利用可能時期
GaN HEMT MMIC CREE/AWR PDKは現在利用可能です。入手ならびに詳細情報は、お近くのCREE社代理店にお問合せ下さい。
AWR
とは
AWRは、携帯電話や衛星通信システムなどに代表されるハイテク製品開発の効率化を図る設計ソフトウェアソリューションを提供し、高周波EDAにおけるイノベーションリーダです。設計プロセスにおいて、我々のソフトウェアの利用により、最先端であり、より信頼性が高く、低コストの製品開発に恩恵をもたらします。
詳細は、http://web.awrcorp.com/Japanese/
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